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STP12NK80Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 10.5 A, 0.75 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP12NK80Z
No. Parte Newark38K7918
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.880 |
| 10+ | $3.040 |
| 100+ | $2.940 |
| 500+ | $2.470 |
| 1000+ | $2.240 |
| 2500+ | $2.230 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.88
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP12NK80Z
No. Parte Newark38K7918
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id10.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.75ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia190W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.75ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
190W
Disipación de Potencia
190W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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