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STP15N80K5
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 14 A, 0.375 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP15N80K5
No. Parte Newark45AC7694
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $4.110 |
| 25+ | $3.780 |
| 50+ | $3.470 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP15N80K5
No. Parte Newark45AC7694
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id14A
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.375ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia190W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
STP15N80K5 is a N-channel MDmesh™ K5 Power MOSFET in D2PAK. This is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Application includes switching.
- 800V VDC, 0.375ohm maximum RDS(on), 14A ID, 190W PTOT
- Industry’s lowest RDS(on) x area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra-low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected
- Gate- source voltage us ±30V, 14A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 150mJ Single pulse avalanche energy (starting TJ = 25°C, ID=IAS, VDD= 50V)
- 4.5V/ns peak diode recovery voltage slope
- 0.66°C/W maximum thermal resistance junction-case
- 800V drain-source breakdown voltage (VGS= 0, ID = 1mA)
- 4V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 100µA, TCASE = 25°C)
- TO-220 package, operating junction temperature storage temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
190W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
14A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.375ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
190W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto