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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP160N3LL
No. Parte Newark69AH2846
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
1,392 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.740 |
10+ | $1.150 |
100+ | $1.110 |
500+ | $1.020 |
1000+ | $0.876 |
2500+ | $0.831 |
10000+ | $0.821 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP160N3LL
No. Parte Newark69AH2846
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia136W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET H6
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
136W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET H6
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto