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STP20N90K5
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20N90K5
No. Parte Newark14AC7554
Rango de ProductoMDmesh
Hoja de datos técnicos
1,076 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.590 |
| 10+ | $5.590 |
| 25+ | $5.590 |
| 50+ | $5.160 |
| 100+ | $5.160 |
| 250+ | $5.160 |
| 500+ | $5.160 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20N90K5
No. Parte Newark14AC7554
Rango de ProductoMDmesh
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.21
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia250
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.21
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
250
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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