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STP33N60M6
MOSFET, N-CH, 600V, 25A, 150DEG C, 190W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP33N60M6
No. Parte Newark94AC2366
Rango de ProductoMDmesh M6
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.210 |
| 10+ | $4.000 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP33N60M6
No. Parte Newark94AC2366
Rango de ProductoMDmesh M6
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia190W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh M6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
190W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP33N60M6
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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