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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP36N55M5
No. Parte Newark45AC7719
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
189 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $6.320 |
| 25+ | $4.530 |
| 50+ | $4.460 |
| 100+ | $4.400 |
| 250+ | $4.340 |
| 500+ | $4.210 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP36N55M5
No. Parte Newark45AC7719
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds550
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia190
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
550
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
190W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidad del producto