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STP40N60M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP40N60M2
No. Parte Newark45AC7723
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
1,870 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.590 |
| 10+ | $5.510 |
| 25+ | $5.230 |
| 50+ | $4.970 |
| 100+ | $4.690 |
| 250+ | $4.500 |
| 500+ | $4.320 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP40N60M2
No. Parte Newark45AC7723
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id34
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.088
Resistencia de Activación Rds(on)0.078ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
STP40N60M2 is a N-channel 600V, 0.078ohm typ., 34A MDmesh M2 Power MOSFET. This device is N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Due to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters. Application includes switching applications, LLC converters, resonant converters.
- Extremely low gate charge, excellent output capacitance (Cos) profile
- 100% avalanche tested, zener-protected
- 650V VDS at Tjmax, 0.088ohm maximum static drain-source on-resistance (VGS = 10V, ID = 17A)
- 34A typical source-drain current (TC = 25°C)
- 600V minimum drain-source breakdown voltage (VGS = 0, ID = 1mA)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 250µA)
- 10nC typical gate-source charge (VDD = 480V, ID = 34A, VGS = 10V)
- 13.5ns typical rise time (VDD = 300V, ID = 34A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 1.6V maximum forward on voltage (ISD = 34A, VGS = 0)
- TO-220 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.088
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
34
Resistencia de Activación Rds(on)
0.078ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP40N60M2
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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