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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP45N10F7
No. Parte Newark45AC7725
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
56 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
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100+ | $0.884 |
500+ | $0.884 |
1000+ | $0.884 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP45N10F7
No. Parte Newark45AC7725
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id45A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0145ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0145ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd60W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia60W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET F7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0145ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET F7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
45A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0145ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
60W
Disipación de Potencia
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto