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STP45N40DM2AG
MOSFET, N-CH, 400V, 38A, TO220
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP45N40DM2AG
No. Parte Newark37AJ1287
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.820 |
| 10+ | $8.840 |
| 25+ | $6.520 |
| 50+ | $6.390 |
| 100+ | $6.250 |
| 250+ | $5.950 |
| 500+ | $5.640 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP45N40DM2AG
No. Parte Newark37AJ1287
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400V
Intensidad Drenador Continua Id38A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38A
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto