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STP4NK60Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP4NK60Z
No. Parte Newark26M3692
Hoja de datos técnicos
29 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.500 |
| 10+ | $1.230 |
| 100+ | $0.966 |
| 500+ | $0.884 |
| 1000+ | $0.749 |
| 2500+ | $0.591 |
| 10000+ | $0.556 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP4NK60Z
No. Parte Newark26M3692
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STP4NK60Z es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener. Este MOSFET de Potencia desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH™ de STMicroelectronics, se logró a través de la optimización del bien establecido diseño de PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
70W
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto