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STP5NK50ZFP
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP5NK50ZFP
No. Parte Newark26M3699
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.270 |
| 10+ | $1.810 |
| 100+ | $1.250 |
| 500+ | $1.090 |
| 1000+ | $0.943 |
| 2500+ | $0.782 |
| 10000+ | $0.746 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP5NK50ZFP
No. Parte Newark26M3699
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id4.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.22ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STP5NK50ZFP es un MOSFET protegido por Zener de canal N SuperMESH™ obtenido a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. La serie complementa la gama completa de MOSFET de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- 1.22Ω RDS (ENCENDIDO)
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.4
Resistencia de Activación Rds(on)
1.22ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
25W
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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