Imprimir página
STP5NK80Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP5NK80Z
No. Parte Newark38K7926
Hoja de datos técnicos
601 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.692 |
| 10+ | $0.692 |
| 100+ | $0.692 |
| 500+ | $0.692 |
| 1000+ | $0.692 |
| 2500+ | $0.692 |
| 10000+ | $0.692 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.69
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP5NK80Z
No. Parte Newark38K7926
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id4.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.9ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STP5NK80Z es un MOSFET de potencia Zener protegido por canal N de 800 V desarrollado con tecnología SuperMESH™, que se logra a través de la optimización de un diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Advertencias
Dispositivo sensible a ESD, tome las precauciones necesarias al manipular el dispositivo.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.4ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.3
Resistencia de Activación Rds(on)
1.9ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
110W
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto