Imprimir página
STP7N60M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP7N60M2
No. Parte Newark98Y2499
Rango de ProductoMDmesh II Plus
Hoja de datos técnicos
168 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.782 |
| 10+ | $0.716 |
| 100+ | $0.716 |
| 500+ | $0.660 |
| 1000+ | $0.660 |
| 2500+ | $0.660 |
| 10000+ | $0.660 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.78
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP7N60M2
No. Parte Newark98Y2499
Rango de ProductoMDmesh II Plus
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.86
Resistencia de Activación Rds(on)0.86ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia60
Disipación de Potencia Pd60W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh II Plus
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza STP7N60M2
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia MDmesh™ M2 de 600V y 5A de canal N en paquete TO-220 de 3 pines
- Carga de puerta extremadamente baja
- Excelente perfil de capacitancia de salida (COSS)
- Probado avalancha 100%
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Protejido por zener
- Presentan baja resistencia y características de conmutación optimizadas
- Adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.86
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
60
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh II Plus
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.86ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto