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STP8NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 4.3 A, 1 kV, 1.85 ohm, 10 V, 3.75 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP8NK100Z
No. Parte Newark86K9111
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.360 |
| 10+ | $3.490 |
| 100+ | $3.300 |
| 500+ | $2.820 |
| 1000+ | $2.730 |
| 2500+ | $2.380 |
| 5000+ | $2.260 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP8NK100Z
No. Parte Newark86K9111
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.85ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia160W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.85ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia
160W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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