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STS4DNF60L.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 60 V, 4 A, 5.5 mohm
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS4DNF60L.
No. Parte Newark82AC0160
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS4DNF60L.
No. Parte Newark82AC0160
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente5.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- STripFET™ power MOSFET adecuado para aplicaciones de conmutación
- Proceso basado en tiras de tamaño único
- Esquema estándar para un fácil montaje de montaje en superficie automatizado
- Unidad de umbral bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
5.5
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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