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STS4DNF60L
MOSFET Transistor, Dual N Channel, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS4DNF60L
No. Parte Newark87X9682
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.971 |
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Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,427.50
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS4DNF60L
No. Parte Newark87X9682
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.045ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.5W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.045ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STS4DNF60L
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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