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STS6NF20V
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS6NF20V
No. Parte Newark26M3737
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $1.050 |
| 10+ | $0.803 |
| 25+ | $0.729 |
| 50+ | $0.656 |
| 100+ | $0.582 |
| 250+ | $0.541 |
| 500+ | $0.500 |
| 1000+ | $0.453 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS6NF20V
No. Parte Newark26M3737
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)2.7V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STS6NF20V es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. El dispositivo es adecuado para su uso como interruptor principal en convertidores de CD a CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones y aplicaciones con requisitos de conducción de carga de compuerta baja.
- Accionamiento de compuerta de umbral ultrabajo
- Esquema estándar para un fácil montaje automatizado en superficie
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.7V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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