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STW10NK60Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW10NK60Z
No. Parte Newark73J5896
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.410 |
| 10+ | $4.580 |
| 120+ | $2.870 |
| 510+ | $2.750 |
| 1020+ | $2.740 |
| 2520+ | $2.520 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW10NK60Z
No. Parte Newark73J5896
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia de Activación Rds(on)0.65ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd156W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia156
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STW10NK60Z es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. Este MOSFET de potencia se desarrolló utilizando la tecnología SuperMESH™ de STMicroelectronics, lograda a través de la optimización del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.65ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
156W
Disipación de Potencia
156
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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