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STW12NK80Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW12NK80Z
No. Parte Newark26M3811
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.250 |
| 10+ | $3.530 |
| 120+ | $3.480 |
| 510+ | $3.470 |
| 1020+ | $3.420 |
| 2520+ | $2.800 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.25
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW12NK80Z
No. Parte Newark26M3811
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id10.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.65ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.65ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia190W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STW12NK80Z es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. Este MOSFET de Potencia desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH™ de STMicroelectronics, se logró a través de la optimización del bien establecido diseño de PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 100% prueba de avalancha
- Capacidad ESD mejorada
- Muy buena fiabilidad de fabricación
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.65ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
190W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.65ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
190W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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