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STW20NK50Z
MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW20NK50Z
No. Parte Newark26M3815
Rango de ProductoSTW
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.520 |
| 10+ | $5.190 |
| 100+ | $2.900 |
| 500+ | $2.790 |
| 1200+ | $2.690 |
| 3000+ | $2.670 |
| 5400+ | $2.640 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW20NK50Z
No. Parte Newark26M3815
Rango de ProductoSTW
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id17A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.23ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia190W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSTW
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
STW
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.23ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
190W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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