Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW26NM60N.
No. Parte Newark15AC4532
Hoja de datos técnicos
391 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles
¿Necesita más?
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.240 |
| 10+ | $4.810 |
| 25+ | $4.560 |
| 60+ | $4.410 |
| 120+ | $4.240 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.24
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW26NM60N.
No. Parte Newark15AC4532
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.135
Resistencia de Activación Rds(on)0.135ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STW26NM60N es un MOSFET de potencia de canal N de 600 V desarrollado con la tecnología MDmesh™ de segunda generación. Este revolucionario Power MOSFET asocia una estructura vertical al diseño de la tira de la compañía para producir una de las cargas de compuerta y resistencia más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia de entrada baja y carga de puerta
- Baja resistencia de entrada de compuerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.135
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.135ohm
Disipación de Potencia Pd
140W
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto