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STW45N65M5
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 35 A, 0.067 ohms, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW45N65M5
No. Parte Newark34AC1986
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
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| 10+ | $6.610 |
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| 60+ | $6.060 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW45N65M5
No. Parte Newark34AC1986
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.067
Resistencia de Activación Rds(on)0.067ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia210
Disipación de Potencia Pd210W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza STW45N65M5
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia MDmesh™ V de canal N de 650V y 35A en paquete TO-247 de 3 pines
- Mejor área RDS (activada) del mundo
- Mayor calificación VDSS y alta capacidad dv/dt
- Excelente rendimiento de conmutación
- Probado avalancha 100%
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Basado en tecnología de proceso vertical patentada innovadora, estructura de diseño horizontal PowerMESH™
- Adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.067
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
210
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0.067ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
210W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto