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STW52NK25Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 26 A, 0.033 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW52NK25Z
No. Parte Newark33R1331
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.490 |
| 10+ | $7.820 |
| 25+ | $6.150 |
| 50+ | $5.880 |
| 100+ | $5.620 |
| 250+ | $5.450 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW52NK25Z
No. Parte Newark33R1331
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id26A
Resistencia de Activación Rds(on)0.033ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.033ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia300W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STW52NK25Z es un MOSFET de potencia Zener protegido por canal N de 250V desarrollado con tecnología SuperMESH™, que se logra a través de la optimización de un diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
26A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.033ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.033ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto