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STW56N65M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW56N65M2
No. Parte Newark69AH2891
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
23 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 60+ | $7.070 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW56N65M2
No. Parte Newark69AH2891
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id49
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.049
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia358
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
49
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.049
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
358
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto