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STW5NK100Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW5NK100Z
No. Parte Newark38K7936
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.300 |
| 10+ | $4.290 |
| 120+ | $2.740 |
| 510+ | $2.580 |
| 1020+ | $2.540 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW5NK100Z
No. Parte Newark38K7936
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.7ohm
Resistencia de Activación Rds(on)3.7ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STW5NK100Z es un SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET con carga de puerta minimizada. Este nuevo MOSFET de potencia SuperMESH™ es el resultado de mejoras de diseño adicionales en el diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de una resistencia de ENCENDIDO significativamente menor, el dispositivo ofrece una capacidad superior de dV/dt para garantizar un rendimiento óptimo incluso en las aplicaciones más exigentes. El dispositivo SuperMESH™ complementa aún más una amplia gama de MOSFET de alto voltaje innovadores, que incluye los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.7ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
3.7ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto