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STW65N65DM2AG
MOSFET, N-CH, 650V, 60A, TO247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW65N65DM2AG
No. Parte Newark32AJ8928
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.340 |
| 10+ | $9.620 |
| 25+ | $9.390 |
| 60+ | $9.190 |
| 120+ | $8.980 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$14.34
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW65N65DM2AG
No. Parte Newark32AJ8928
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia446W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
446W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto