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STW75N65DM6-4
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW75N65DM6-4
No. Parte Newark29AK8295
Hoja de datos técnicos
88 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.890 |
| 10+ | $10.900 |
| 25+ | $10.900 |
| 60+ | $10.890 |
| 120+ | $10.890 |
| 270+ | $10.060 |
| 510+ | $10.050 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$11.89
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW75N65DM6-4
No. Parte Newark29AK8295
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.75
Disipación de Potencia480
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
75
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
480
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.75
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto