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STWA32N65DM6AG
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 37 A, 0.083 ohm, TO-247LL, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTWA32N65DM6AG
No. Parte Newark29AK8292
Rango de ProductoMDmesh DM6 Series
Hoja de datos técnicos
210 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTWA32N65DM6AG
No. Parte Newark29AK8292
Rango de ProductoMDmesh DM6 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id37
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.083
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247LL
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia320
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh DM6 Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.083
Diseño de Transistor
TO-247LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
320
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh DM6 Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
37
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto