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STWA45N65M5
MOSFET, N-CH, 650V, 35A, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTWA45N65M5
No. Parte Newark61AC2143
Rango de ProductoMDmesh
Hoja de datos técnicos
321 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.230 |
| 10+ | $5.630 |
| 25+ | $5.330 |
| 60+ | $5.090 |
| 120+ | $4.920 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTWA45N65M5
No. Parte Newark61AC2143
Rango de ProductoMDmesh
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.067ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia210W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.067ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
210W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STWA45N65M5
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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