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STWA75N65DM6
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTWA75N65DM6
No. Parte Newark29AK8293
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.360 |
| 10+ | $11.340 |
| 25+ | $11.330 |
| 60+ | $11.330 |
| 120+ | $11.330 |
| 270+ | $11.330 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTWA75N65DM6
No. Parte Newark29AK8293
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036ohm
Diseño de TransistorTO-247LL
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.75V
Disipación de Potencia480W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
75A
Diseño de Transistor
TO-247LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
480W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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