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SFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STD
Memoria Flash, MLC NAND, 16 GB, BGA, 153 Pines
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FabricanteSWISSBIT
No. Parte FabricanteSFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STD
No. Parte Newark70AH3682
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSWISSBIT
No. Parte FabricanteSFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STD
No. Parte Newark70AH3682
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashMLC NAND
Densidad de Memoria16GB
Tamaño de la Memoria16GB
Configuración de Memoria-
Configuración Memoria Flash-
Interfaces-
Tipo de Interfaz IC-
Memoria, TipoBGA
Estuche / Paquete CIBGA
Núm. de Contactos153Pines
Frecuencia de Reloj200MHz
Frecuencia Max de Reloj200MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
MLC NAND
Tamaño de la Memoria
16GB
Configuración Memoria Flash
-
Tipo de Interfaz IC
-
Estuche / Paquete CI
BGA
Frecuencia de Reloj
200MHz
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Densidad de Memoria
16GB
Configuración de Memoria
-
Interfaces
-
Memoria, Tipo
BGA
Núm. de Contactos
153Pines
Frecuencia Max de Reloj
200MHz
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3.3V eMMC NAND Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto