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TSC497CX RFG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 300 V, 500 mA, 500 mW, TO-236AB (SOT-23)
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSC497CX RFG
No. Parte Newark59AJ2294
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSC497CX RFG
No. Parte Newark59AJ2294
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor300
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua500
Disipación de Potencia500
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-236AB (SOT-23)
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición75
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
300
Corriente del Colector Continua
500
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
75
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
500
Diseño de Transistor
TO-236AB (SOT-23)
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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