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TSM2302CX RFG
MOSFET, N-CH, 20V, 2.8A, SOT-23-3
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM2302CX RFG
No. Parte Newark13AC0856
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.623 |
| 10+ | $0.520 |
| 25+ | $0.482 |
| 50+ | $0.430 |
| 100+ | $0.377 |
| 250+ | $0.340 |
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM2302CX RFG
No. Parte Newark13AC0856
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id2.8A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia1.25W
Disipación de Potencia Pd0
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.25W
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza TSM2302CX RFG
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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