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TSM2314CX RFG
MOSFET Transistor, N Channel, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV RoHS Compliant: Yes
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM2314CX RFG
No. Parte Newark27T2999
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTSM2314CX RFG
No. Parte Newark27T2999
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.027ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente850mV
Disipación de Potencia1.25W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.25W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.027ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
850mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza TSM2314CX RFG
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto