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2SK209-Y(TE85L,F)
Transistor JFET, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pines, 125 °C
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK209-Y(TE85L,F)
No. Parte Newark10AK1279
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK209-Y(TE85L,F)
No. Parte Newark10AK1279
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente50V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero14mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta1.5V
Diseño de TransistorTO-236
Núm. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Tipo de Transistor0
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
14mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
1.5V
Núm. de Pines
3 Pin
Tipo de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
50V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Diseño de Transistor
TO-236
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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