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HN1C03F-B(TE85L,F)
Arreglo de Transistores Bipolares, NPN Doble, 20 V, 300 mA, 300 mW
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN1C03F-B(TE85L,F)
No. Parte Newark03AM2079
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.317 |
| 10+ | $0.197 |
| 25+ | $0.172 |
| 50+ | $0.148 |
| 100+ | $0.123 |
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| 500+ | $0.092 |
| 1000+ | $0.082 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN1C03F-B(TE85L,F)
No. Parte Newark03AM2079
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor20
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente NPN de Colector Continua300
Corriente PNP de Colector Continua-
Disipación de Potencia NPN300
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD200
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
Diseño de TransistorSOT-26
No. de Pines6Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Frecuencia de Transición NPN30
Frecuencia de Transición PNP-
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
No. de Pines
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
20
Corriente NPN de Colector Continua
300
Disipación de Potencia NPN
300
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
200
Diseño de Transistor
SOT-26
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
30
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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