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HN4A51J(TE85L,F)
Arreglo de Transistores Bipolares, PNP Doble, 120 V, 100 mA
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN4A51J(TE85L,F)
No. Parte Newark03AM2082
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor120
Corriente NPN de Colector Continua-
Corriente PNP de Colector Continua100
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP300
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD200
Diseño de TransistorSOT-25
No. de Pines5Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP100
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
120
Corriente PNP de Colector Continua
100
Disipación de Potencia PNP
300
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
200
No. de Pines
5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Frecuencia de Transición PNP
100
Calificación
-
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente NPN de Colector Continua
-
Disipación de Potencia NPN
-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
-
Diseño de Transistor
SOT-25
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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