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SSM3J15FV,L3F(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Montaje Superficial
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| 100+ | $0.053 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J15FV,L3F(T
No. Parte Newark01AM0604
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente12
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
100
Diseño de Transistor
SOT-723
Voltaje de Prueba Rds(on)
4
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
12
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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