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SSM3J35AMFV,L3F(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J35AMFV,L3F(T
No. Parte Newark01AM0607
Hoja de datos técnicos
616 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.165 |
| 10+ | $0.127 |
| 25+ | $0.078 |
| 50+ | $0.064 |
| 100+ | $0.053 |
| 250+ | $0.043 |
| 500+ | $0.034 |
| 1000+ | $0.032 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J35AMFV,L3F(T
No. Parte Newark01AM0607
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.4
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
250
Diseño de Transistor
SOT-723
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.4
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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