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SSM3K7002CFU,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K7002CFU,LF(T
No. Parte Newark01AM0629
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.156 |
| 10+ | $0.121 |
| 25+ | $0.076 |
| 50+ | $0.063 |
| 100+ | $0.054 |
| 250+ | $0.044 |
| 500+ | $0.037 |
| 1000+ | $0.035 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K7002CFU,LF(T
No. Parte Newark01AM0629
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.9
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia700
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
170
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
700
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.9
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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