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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6K513NU,LF(T
No. Parte Newark03AM3054
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6K513NU,LF(T
No. Parte Newark03AM3054
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0089
Diseño de TransistorSOT-1220
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
15
Diseño de Transistor
SOT-1220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0089
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
U-MOSIX-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto