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SSM6L61NU,LF(T
MOSFET, N/P-CH, 20V, 4A, UDFN ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.206 |
| 6000+ | $0.183 |
| 12000+ | $0.165 |
| 18000+ | $0.153 |
| 30000+ | $0.141 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$618.00
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L61NU,LF(T
No. Parte Newark86AK6439
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.025ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.025ohm
Diseño de TransistorUDFN
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1W
Disipación de Potencia de Canal P1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.025ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.025ohm
Diseño de Transistor
UDFN
Disipación de Potencia de Canal N
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza SSM6L61NU,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto