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SSM6N43FU,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.413 |
| 10+ | $0.317 |
| 25+ | $0.217 |
| 50+ | $0.180 |
| 100+ | $0.151 |
| 250+ | $0.121 |
| 500+ | $0.101 |
| 1000+ | $0.084 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N43FU,LF(T
No. Parte Newark08AK7434
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.46
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-363
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
200
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.46
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto