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SSM6N7002CFU,LF(T
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N7002CFU,LF(T
No. Parte Newark01AM0648
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.205 |
| 10+ | $0.160 |
| 25+ | $0.097 |
| 50+ | $0.080 |
| 100+ | $0.067 |
| 250+ | $0.053 |
| 500+ | $0.042 |
| 1000+ | $0.040 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N7002CFU,LF(T
No. Parte Newark01AM0648
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N170
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente3.9
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N285
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
170
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
3.9
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
285
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto