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TK065U65Z,RQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 50+ | $6.380 |
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| 1000+ | $5.000 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK065U65Z,RQ(S
No. Parte Newark33AK9337
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id38
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.051
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-LL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia270
No. de Pines9Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.051
Diseño de Transistor
TO-LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
9Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
270
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto