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| 25+ | $6.950 |
| 60+ | $6.570 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK080Z60Z1,S1F(S
No. Parte Newark50AM7301
Rango de ProductoDTMOSVI
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia211W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoDTMOSVI
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
211W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
DTMOSVI
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto