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TK11P65W,RQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 11.1 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.850 |
| 10+ | $2.550 |
| 25+ | $2.330 |
| 50+ | $2.120 |
| 100+ | $1.890 |
| 250+ | $1.670 |
| 500+ | $1.550 |
| 1000+ | $1.490 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK11P65W,RQ(S
No. Parte Newark72AK4432
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id11.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11.1
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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