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TK14G65W,RQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.400 |
| 10+ | $3.970 |
| 25+ | $3.710 |
| 50+ | $3.430 |
| 100+ | $3.090 |
| 250+ | $2.610 |
| 500+ | $2.530 |
| 1000+ | $2.420 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK14G65W,RQ(S
No. Parte Newark72AK4449
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id13.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22
Diseño de TransistorD2PAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia130
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13.7
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
130
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto