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TK28E65W,S1X(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.520 |
| 10+ | $5.830 |
| 25+ | $5.280 |
| 50+ | $5.030 |
| 100+ | $4.550 |
| 250+ | $4.040 |
| 500+ | $3.960 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK28E65W,S1X(S
No. Parte Newark72AK4486
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id27.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.094
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia230
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
27.6
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
230
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.094
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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