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TK28N65W5,S1F(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 27.6 A, 0.11 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.200 |
| 10+ | $7.330 |
| 25+ | $6.630 |
| 60+ | $6.330 |
| 120+ | $5.720 |
| 270+ | $5.080 |
| 510+ | $4.980 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK28N65W5,S1F(S
No. Parte Newark72AK4488
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id27.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia230
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
27.6
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
230
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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